--- 產品參數 ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-N+P
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
AO4609-VB 是一款雙N+P溝道MOSFET,采用先進的溝槽技術制造,適合高性能電源管理和功率控制應用。該器件封裝在SOP8封裝中,結合了N溝道和P溝道MOSFET的優勢,能夠有效地處理正負電壓的控制需求。
### 詳細參數說明
- **型號**: AO4609-VB
- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: 雙N+P溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: ±30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V (N溝道), -1.7V (P溝道)
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- N溝道: 13mΩ @ VGS = 4.5V, 11mΩ @ VGS = 10V
- P溝道: 28mΩ @ VGS = 4.5V, 21mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 10A (N溝道), -8A (P溝道)
- **技術類型**: 溝槽

### 應用領域和模塊舉例
AO4609-VB 可以在多種領域和模塊中發揮作用,包括但不限于:
1. **電源管理**:用于高性能電源管理單元和DC-DC轉換器中的功率開關,提供高效的電能轉換和穩定的電源輸出。
2. **電池管理系統**:在電動工具、電動車輛和工業應用中的電池保護和充電管理,確保電池安全和長壽命。
3. **電動機控制**:在工業自動化設備、機器人技術和電動汽車中的電動機驅動和速度控制,提供精確的動力輸出和能量效率。
4. **功率逆變器**:在太陽能和風能發電系統的電源逆變器中,將直流電轉換為交流電,以供電網或電氣設備使用,實現可再生能源的高效利用。
AO4609-VB因其雙N+P溝道設計和優良的導通特性,適合需要同時處理正負電壓和高功率要求的復雜電子電路設計。
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