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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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AM4512AC-T1-PF-VB一款Dual-N+P溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): AM4512AC-T1-PF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+P

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介詳述:AM4512AC-T1-PF-VB

**型號(hào):** AM4512AC-T1-PF-VB  
**封裝:** SOP8  
**結(jié)構(gòu):** 雙N+N溝道  
**漏極-源極電壓(VDS):** ±30V  
**柵極-源極電壓(VGS):** ±20V  
**閾值電壓(Vth):** 1.6V (N-Channel), -1.7V (P-Channel)  
**導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 
- N溝道:24mΩ @ VGS=4.5V, 18mΩ @ VGS=10V  
- P溝道:50mΩ @ VGS=4.5V, 40mΩ @ VGS=10V  
**漏極電流(ID):** ±8A  
**技術(shù):** Trench(溝槽型)  

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

1. **電氣特性:**
  - **靜態(tài)參數(shù):**
    - 漏極-源極電壓(VDS):±30V
    - 柵極-源極電壓(VGS):±20V
    - 閾值電壓(Vth):
      - N溝道:1.6V
      - P溝道:-1.7V
    - 漏極-源極導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):
      - N溝道:
        - 24mΩ @ VGS=4.5V
        - 18mΩ @ VGS=10V
      - P溝道:
        - 50mΩ @ VGS=4.5V
        - 40mΩ @ VGS=10V
    - 最大漏極電流(ID):±8A

2. **封裝和配置:**
  - 封裝形式:SOP8
  - 結(jié)構(gòu)類型:雙N+N溝道

3. **技術(shù)特性:**
  - 采用溝槽型MOSFET技術(shù)

### 應(yīng)用示例:

AM4512AC-T1-PF-VB適用于以下領(lǐng)域和模塊的示例包括:

- **電源管理系統(tǒng):** 在各種電源管理系統(tǒng)中作為開關(guān)元件,用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC逆變器和電源供應(yīng)單元。
- **電動(dòng)車輛:** 用于電動(dòng)車輛的電池管理和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng),支持高效能轉(zhuǎn)換和高功率密度。
- **工業(yè)自動(dòng)化:** 在工業(yè)控制系統(tǒng)中用于電流和電壓的控制和調(diào)節(jié),確保設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性。
- **電源開關(guān)和穩(wěn)壓器:** 在電源管理單元中作為功率開關(guān)和穩(wěn)壓器,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和管理。

這些示例展示了AM4512AC-T1-PF-VB在需要同時(shí)控制正負(fù)電壓、高電流和高效能轉(zhuǎn)換的多種應(yīng)用中的潛在應(yīng)用價(jià)值。

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