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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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AFP6801TS6RG-VB一款Dual-P+P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: AFP6801TS6RG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6
  • 溝道 Dual-P+P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介詳

**AFP6801TS6RG-VB MOSFET**

AFP6801TS6RG-VB是一款雙P溝道MOSFET,采用SOT23-6封裝。它適用于負漏源電壓應(yīng)用,并具有優(yōu)異的導(dǎo)通特性和可靠性,適合在各種電子系統(tǒng)中提供高效能和穩(wěn)定性能。

### 詳細的參數(shù)說明

- **封裝類型**: SOT23-6
- **晶體管配置**: 雙P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±12V
- **閾值電壓 (Vth)**: -0.6V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 100mΩ @ VGS=2.5V
 - 75mΩ @ VGS=4.5V
- **漏極電流 (ID)**: -4A
- **技術(shù)類型**: Trench(溝槽)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

**電源管理**:
AFP6801TS6RG-VB適用于負漏源電壓的電源管理電路,特別是在電池供電設(shè)備和便攜式電子產(chǎn)品中,可用于電源開關(guān)和電流控制。

**電路保護**:
在各種電路保護應(yīng)用中,如過電流保護和過電壓保護電路中,AFP6801TS6RG-VB可以有效地保護電子設(shè)備免受損害。

**傳感器接口**:
在傳感器接口電路中,AFP6801TS6RG-VB的快速開關(guān)特性和穩(wěn)定性能使其成為傳感器信號處理和驅(qū)動電路的理想選擇。

**便攜式消費電子產(chǎn)品**:
由于其小型封裝和低功耗特性,AFP6801TS6RG-VB適合用于便攜式消費電子產(chǎn)品,如智能手機、平板電腦和便攜式音頻設(shè)備的電源管理和電路控制。

綜上所述,AFP6801TS6RG-VB作為一款雙P溝道MOSFET,在負漏源電壓應(yīng)用中具有廣泛的應(yīng)用潛力,特別適合于電源管理、電路保護、傳感器接口和便攜式消費電子產(chǎn)品等多個領(lǐng)域的電子系統(tǒng)設(shè)計。

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