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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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AFP3993TS6RG-VB一款Dual-P+P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: AFP3993TS6RG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6
  • 溝道 Dual-P+P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介詳

**AFP3993TS6RG-VB MOSFET**

AFP3993TS6RG-VB是一款雙P溝道MOSFET,采用SOT23-6封裝。它具有負漏源電壓和優(yōu)異的導(dǎo)通特性,適用于需要高效能和高性能的電子系統(tǒng)設(shè)計。

### 詳細的參數(shù)說明

- **封裝類型**: SOT23-6
- **晶體管配置**: 雙P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±12V
- **閾值電壓 (Vth)**: -0.6V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 100mΩ @ VGS=2.5V
 - 75mΩ @ VGS=4.5V
- **漏極電流 (ID)**: -4A
- **技術(shù)類型**: Trench(溝槽)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

**電源管理**:
AFP3993TS6RG-VB適用于負漏源電壓的電源管理電路,如電池管理系統(tǒng)和便攜式電子設(shè)備的電源開關(guān)。其優(yōu)異的導(dǎo)通特性和小型封裝使其在空間受限和功耗敏感的應(yīng)用中表現(xiàn)突出。

**電路保護**:
在各種電子設(shè)備中,AFP3993TS6RG-VB可用于電路保護,特別是需要保護負漏源電壓下的電路免受過電流和過電壓的損害的應(yīng)用場景。

**傳感器接口**:
在傳感器接口電路中,AFP3993TS6RG-VB的快速開關(guān)特性可以確保傳感器信號的精確捕捉和處理,適用于各種傳感器驅(qū)動和信號調(diào)理應(yīng)用。

**便攜式醫(yī)療設(shè)備**:
由于其小型封裝和低功耗特性,AFP3993TS6RG-VB非常適合用于便攜式醫(yī)療設(shè)備的電源管理和電路保護,確保設(shè)備在醫(yī)療環(huán)境中的穩(wěn)定運行和高效能表現(xiàn)。

綜上所述,AFP3993TS6RG-VB作為一款雙P溝道MOSFET,由于其負漏源電壓和優(yōu)異的電氣特性,在電源管理、電路保護、傳感器接口和便攜式醫(yī)療設(shè)備等多個領(lǐng)域均有廣泛的應(yīng)用前景。

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