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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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9T18J-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 9T18J-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO251
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 9T18J-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

9T18J-VB 是一款單 N 通道 MOSFET,采用 TO251 封裝。它支持最大 30V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS),閾值電壓 (Vth) 為 1.7V。采用了 Trench 技術(shù),該 MOSFET 在 VGS = 10V 時(shí)的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 7mΩ,最大漏極電流 (ID) 為 50A。這使得它適用于需要低電壓和高電流的功率開(kāi)關(guān)和調(diào)節(jié)應(yīng)用。

### 9T18J-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: 9T18J-VB
- **封裝**: TO251
- **配置**: 單 N 通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS = 4.5V
 - 7mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 50A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**:
  9T18J-VB 可用于低壓電源管理系統(tǒng)中的功率開(kāi)關(guān)和調(diào)節(jié)器,如手機(jī)充電器和便攜式電子設(shè)備的電源管理單元。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力確保了高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電壓輸出。

2. **電動(dòng)工具**:
  在電動(dòng)工具和機(jī)械設(shè)備中,該型號(hào)的 MOSFET 可用作電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電流控制器,如電動(dòng)錘和電動(dòng)車輛中的電機(jī)控制模塊。其高電流特性和快速開(kāi)關(guān)速度適合于需要頻繁開(kāi)關(guān)和高功率輸出的應(yīng)用場(chǎng)景。

3. **汽車電子**:
  在汽車電子系統(tǒng)中,9T18J-VB 可用于電動(dòng)汽車的電動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的功率開(kāi)關(guān)和電池管理單元,確保車輛的高效能和穩(wěn)定性能。

4. **工業(yè)自動(dòng)化**:
  在工業(yè)控制和自動(dòng)化系統(tǒng)中,該型號(hào)的 MOSFET 可用于電源轉(zhuǎn)換器和工業(yè)電子設(shè)備中的功率開(kāi)關(guān),確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和高效能轉(zhuǎn)換。

通過(guò)以上示例可以看出,9T18J-VB MOSFET 具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,特別適合需要低電壓和高電流的功率開(kāi)關(guān)和調(diào)節(jié)應(yīng)用。

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