### 產品簡介
**9980GJ-VB** 是一款由 VBsemi 公司生產的單 N 溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），采用 TO251 封裝。該型號的 MOSFET 具有 100V 的漏源電壓（VDS）和最大 35A 的漏極電流（ID），采用先進的 Trench 技術，提供低導通電阻和高性能。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**：TO251
- **配置**：單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：100V
- **柵源電壓 (VGS)**：±20V
- **閾值電壓 (Vth)**：1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：36mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**：35A
- **技術**：Trench
### 應用領域和模塊
**9980GJ-VB** MOSFET 在以下領域和模塊中有廣泛的應用：
1. **電源管理和開關電源**：由于其高漏源電壓和適中的漏極電流特性，9980GJ-VB 可以用于高電壓應用的開關模式電源（SMPS）、DC-DC 轉換器和電源逆變器。它能夠有效地控制和轉換電能，提高系統的效率和可靠性。
2. **電動工具和汽車電子**：在電動工具、汽車電子和電動車輛（EV）中，該型號的 MOSFET 可以作為電機驅動器和電源開關，支持高功率和快速開關操作，確保設備的高效性能和長壽命。
3. **工業控制和自動化**：9980GJ-VB 可用于工業自動化系統中的電機控制、電磁閥控制和傳感器接口。其高可靠性和耐高壓特性使其適合在工業環境中長期穩定運行。
4. **電源逆變器**：在各種電力電子應用中，例如太陽能逆變器和風能逆變器，9980GJ-VB 能夠用于功率開關控制，有效地將直流電轉換為交流電，提高能源轉換效率和系統可靠性。
5. **消費電子產品**：在高性能消費電子產品如音響設備、計算機和電視機的電源管理和功率放大模塊中，9980GJ-VB 提供穩定的電流和功率輸出，支持設備的穩定運行和高效能表現。
通過以上例子可以看出，9980GJ-VB 是一款多功能、高性能的 MOSFET，適用于多種電子設備和系統中的功率管理和控制需求。
