### 9926GO-VB MOSFET 產品簡介

9926GO-VB是一款雙N溝道共漏極MOSFET，采用Trench技術，封裝為TSSOP8。具有低導通電阻和適中的電流容量，適合于低壓應用和需要雙通道控制的電路設計。

### 9926GO-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝類型**: TSSOP8
- **配置**: 雙N溝道共漏極
- **漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 32mΩ @ VGS = 2.5V
 - 22mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏極電流 (ID)**: 6.6A
- **技術**: Trench

### 9926GO-VB MOSFET 應用領域和模塊示例

9926GO-VB適用于多種需要雙通道控制和低壓操作的領域和模塊。以下是一些應用示例：

1. **電源管理**:
  - **低壓電源模塊**: 在手機、平板電腦和其他便攜設備的電源管理模塊中，提供高效的電壓轉換和電流控制。

2. **信號處理**:
  - **信號開關**: 在低電壓信號處理電路中，用于快速和精確的信號開關控制，支持高頻率的信號處理需求。

3. **電動工具**:
  - **電動工具控制**: 在電動工具的電機控制電路中，用于電機驅動和功率調節，提供穩定的電流和功率輸出。

9926GO-VB MOSFET通過其雙通道共漏極設計和優越的導通特性，適合于需要靈活控制和高效能轉換的電子設備和系統設計。