### 產品簡介

9912H-VB 是一款TO252封裝的單N溝道MOSFET，采用Trench技術。該器件具有低導通電阻和高漏極電流特性，適合要求高性能功率開關和電源管理的應用場合。

### 詳細參數說明

- **型號**: 9912H-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 6mΩ @ VGS = 2.5V
 - 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊

9912H-VB 適用于以下領域和模塊：

1. **電源轉換器和功率管理**
  - 在電源逆變器、DC-DC轉換器和功率管理模塊中，9912H-VB 可以用作高效率功率開關。其低導通電阻和高漏極電流特性，有助于減少能量損耗并提高系統(tǒng)效率。

2. **電動工具和電動車輛**
  - 在電動工具、電動車輛和其他電動設備的驅動電路中，9912H-VB 可以用于電機驅動和電池管理。其高漏極電流能力和快速開關特性，適合于高功率應用場合。

3. **消費電子和通信設備**
  - 在消費電子產品如筆記本電腦、平板電腦和智能手機的電源管理電路中，9912H-VB 可以用于功率開關和電池充放電管理。其優(yōu)異的導通特性和穩(wěn)定性，有助于提升設備的性能和可靠性。

9912H-VB MOSFET 通過其優(yōu)越的電氣特性和多功能應用能力，為各種高性能電子設備和系統(tǒng)提供了穩(wěn)定和高效的功率管理解決方案。