### 98E580-VB MOSFET
#### 一、產品簡介
98E580-VB 是一款單 N 溝道功率 MOSFET，采用 SOT669 封裝。該器件具有 80V 的漏源電壓（VDS），最大柵源電壓（VGS）為 ±20V，閾值電壓（Vth）為 1.4V。98E580-VB 采用了先進的溝槽技術，具有較低的導通電阻（RDS(ON)），在 VGS=4.5V 時為 7.2mΩ，在 VGS=10V 時為 6mΩ。最大連續漏極電流（ID）為 90A，適用于高功率負載開關和功率管理應用。
#### 二、詳細參數說明
- **封裝類型**：SOT669
- **配置**：單 N 溝道
- **漏源電壓（VDS）**：80V
- **柵源電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：1.4V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：
- VGS=4.5V 時：7.2mΩ
- VGS=10V 時：6mΩ
- **最大連續漏極電流（ID）**：90A
- **技術類型**：溝槽技術
#### 三、適用領域和模塊舉例
98E580-VB MOSFET 可以廣泛應用于以下領域和模塊：
- **電源管理**：適用于高功率電源開關和電源逆變器，如工業電源系統、電動工具和電動車輛。
- **電動驅動**：在需要高效能電動驅動的應用中，如電動船、電動機車和電動飛行器。
- **工業自動化**：用于機器人、自動化設備和自動控制系統中的功率開關和電機控制。
- **電動工具**：在高性能電動工具中的電源開關和電動驅動電路。
98E580-VB MOSFET 的高電流處理能力和低導通電阻使其成為許多需要高效能和可靠性的功率電子應用中的理想選擇。
