### 1. 產品簡介詳細

VBsemi MOSFET 96N3LLH6-VB 是一款封裝為TO252的單N溝道型MOSFET。具有以下主要特性：

- **VDS (漏極-源極電壓)**: 30V
- **VGS (柵極-源極電壓)**: ±20V
- **Vth (門槽電壓閾值)**: 1.7V
- **RDS(ON) (導通時漏極-源極電阻)**:
 - 3mΩ @ VGS=4.5V
 - 2mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏極電流)**: 100A
- **技術**: Trench 溝道技術

### 2. 參數說明

- **封裝**: TO252
- **電壓參數**:
 - 最大漏極-源極電壓 (VDS): 30V
 - 最大柵極-源極電壓 (VGS): ±20V
- **性能參數**:
 - 閾值電壓 (Vth): 1.7V
 - 導通電阻 (RDS(ON)):
   - 3mΩ @ VGS=4.5V
   - 2mΩ @ VGS=10V
- **電流參數**:
 - 最大漏極電流 (ID): 100A
- **技術**: Trench 溝道技術

### 3. 應用示例

96N3LLH6-VB MOSFET 可以在多個領域和模塊中得到應用：

- **電源管理**: 用于直流-直流轉換器（DC-DC converters）、穩壓器和電源模塊中，實現高效能的功率開關和電流控制。
- **電動工具**: 在高性能電動工具的電源控制模塊中，用于馬達驅動和電流管理，提供可靠的功率輸出和長時間運行。
- **電動車電池管理**: 在電動車的電池管理系統中，用于電池充放電保護和高效的能量轉換，提高電池壽命和充電效率。
- **工業自動化**: 在工業設備的電源管理和驅動模塊中，用于高效的功率開關和穩定的電壓輸出，確保設備的可靠性和穩定運行。

以上示例展示了96N3LLH6-VB MOSFET 在電源管理、電動工具、電動車電池管理和工業自動化等領域的廣泛應用。