### 969B-VB MOSFET 產品簡介
969B-VB是一款雙P+P-溝道MOSFET，采用先進的Trench技術，封裝形式為TSSOP8。該MOSFET在-20V的漏源電壓條件下，具有優異的導通特性和低導通電阻，適合需要雙通道負向電壓控制的電子和電氣設備。
### 969B-VB MOSFET 詳細參數說明
- **封裝類型**: TSSOP8
- **配置**: 雙P+P-溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.2V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 18mΩ @ VGS = 4.5V
- 13mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: -7.5A
- **技術**: Trench
### 969B-VB MOSFET 應用領域和模塊示例
969B-VB MOSFET適用于多種需要雙P+P-溝道負向電壓控制和高功率密度的電子和電氣應用。以下是一些應用領域和模塊示例：
1. **電源管理**:
- **雙通道電源開關**: 在需要同時控制正負向電壓的電源管理系統中，如雙電池電源選擇器和電源逆變器。
- **便攜式電子設備**: 用于便攜式電子設備的電源管理單元，支持多電池管理和高效能轉換。
2. **汽車電子**:
- **車輛電子系統**: 在汽車電子系統中，用于雙電池管理和電動車輛的動力電池管理，支持高功率密度的電機驅動和能量回收。
- **車載充電器**: 適用于電動車輛和混合動力車輛的雙通道充電器設計，實現快速充電和電池保護功能。
3. **工業控制**:
- **電機控制**: 在需要同時驅動多電機或需要雙通道電源管理的工業電機控制系統中，如機器人控制和自動化生產線。
- **電源開關**: 用于需要高效能轉換和電源管理的工業自動化設備和電子控制系統。
通過以上示例，可以看出969B-VB MOSFET在多個領域中提供了雙通道負向電壓控制和高功率密度的解決方案，適用于復雜電子和電氣應用的需求。
