--- 產品參數 ---
- 封裝 TSSOP8
- 溝道 Common Drain-N+N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
968EA-VB 是一款TSSOP8封裝的雙N溝道MOSFET,配置為Common Drain-N+N-Channel,采用Trench技術。這款MOSFET適合于需要高效能轉換和低導通電阻的電路設計。
### 詳細參數說明
- **型號**: 968EA-VB
- **封裝**: TSSOP8
- **配置**: Common Drain-N+N-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±12V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 18mΩ @ VGS = 2.5V
- 14mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏極電流 (ID)**: 7.6A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊
968EA-VB 在以下領域和模塊中展示了其應用潛力:
1. **電源管理和轉換器**
- 在電源逆變器、DC-DC轉換器和電源管理單元中,968EA-VB 可以用作功率開關和電源管理器件。其低導通電阻和高效能轉換特性,有助于提高能源利用率和系統效率。
2. **電池管理和充電電路**
- 在便攜式電子設備、無線傳感器和電動工具的電池管理和充電電路中,968EA-VB 可以用于電池保護、充電管理和功率轉換。其能夠在低柵源電壓下實現低導通電阻,延長電池壽命并提高設備的穩定性。
3. **汽車電子**
- 在汽車電子系統如電動車輛、車載電源和電動馬達控制中,968EA-VB 可以用于電池管理、馬達驅動和高效率轉換器。其高電流承受能力和快速開關特性,適合于汽車環境下的高溫和高功率應用。
968EA-VB MOSFET 通過其優異的電性能和適應多樣化應用的能力,成為現代電子設備和系統中的重要組成部分,為提升設備性能和效率提供了穩定可靠的解決方案。
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