### 1. 產品簡介詳細

VBsemi MOSFET 9479GM-VB 是一款封裝為SOP8的單N溝道型MOSFET。具有以下主要特性：

- **VDS (漏極-源極電壓)**: 60V
- **VGS (柵極-源極電壓)**: ±20V
- **Vth (門槽電壓閾值)**: 1.7V
- **RDS(ON) (導通時漏極-源極電阻)**:
 - 35mΩ @ VGS=4.5V
 - 25mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏極電流)**: 7.6A
- **技術**: 溝道型

### 2. 參數說明

- **封裝**: SOP8
- **電壓參數**:
 - 最大漏極-源極電壓 (VDS): 60V
 - 最大柵極-源極電壓 (VGS): ±20V
- **性能參數**:
 - 閾值電壓 (Vth): 1.7V
 - 導通電阻 (RDS(ON)):
   - 35mΩ @ VGS=4.5V
   - 25mΩ @ VGS=10V
- **電流參數**:
 - 最大漏極電流 (ID): 7.6A
- **技術**: Trench 溝道技術

### 3. 應用示例

9479GM-VB MOSFET 適用于多種領域和模塊，例如：

- **電源管理**: 在低至中功率DC-DC轉換器和穩壓器中，提供有效的電壓調節和電流控制。
- **LED驅動**: 作為LED照明系統的開關元件，用于高效能量轉換和亮度控制。
- **電池保護**: 在便攜設備和電池供電系統中，用于電池充放電管理和保護。

這些示例展示了9479GM-VB MOSFET 在電源管理、LED驅動和電池保護等應用中的潛在用途。