--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TSSOP8
- 溝道 Common Drain-N+N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 926AE-VB MOSFET
#### 一、產(chǎn)品簡介
926AE-VB 是一款具有雙N溝道共源極配置的MOSFET,采用先進的Trench技術制造。該器件設計緊湊,封裝為TSSOP8,適合在空間有限的電路板設計中使用。它具有低導通電阻和適中的漏源電壓,非常適合要求較低功耗和中等電流處理能力的應用場合。
#### 二、詳細的參數(shù)說明
- **型號**: 926AE-VB
- **封裝**: TSSOP8
- **配置**: 雙N溝道共源極
- **漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 32mΩ @ VGS=2.5V
- 22mΩ @ VGS=4.5V
- **漏極電流 (ID)**: 6.6A
- **技術**: Trench

#### 三、應用領域和模塊實例
926AE-VB MOSFET 由于其雙N溝道共源極配置和適中的電特性,適用于多個領域和模塊:
1. **電源管理**:在低功耗的電源管理系統(tǒng)中,如便攜設備、無線傳感器網(wǎng)絡(WSN)節(jié)點和移動設備,提供高效能轉換和電池壽命延長的功能。
2. **音頻放大**:在音頻放大器的輸出級驅動中,可以用于提供低失真、高效率的音頻輸出,適用于便攜式音響和耳機放大器。
3. **消費電子**:適用于小型家電、電動工具和LED照明驅動,提供可靠的電源開關和電流控制。
4. **工業(yè)自動化**:在傳感器接口、電動執(zhí)行器和工業(yè)控制系統(tǒng)中,用于高速開關和電流控制,確保設備的穩(wěn)定性和效率。
926AE-VB 結合了小型封裝和優(yōu)良的電性能,使其成為多種現(xiàn)代電子設備和系統(tǒng)中的理想選擇,特別是在空間和功耗有限的應用場景下表現(xiàn)突出。
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