--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT669
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
92560E-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用了先進的Trench技術,封裝在SOT669中。它具有低導通電阻、高漏極電流和優良的電壓特性,適合要求高效能和高可靠性的電力電子應用。
### 詳細參數說明
- **型號**: 92560E-VB
- **封裝**: SOT669
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1~3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 7.8mΩ @ VGS = 4.5V
- 6.2mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 64A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊
1. **電動汽車充電樁**
- 92560E-VB 的高導通電流和低導通電阻使其非常適合作為電動汽車充電樁中的功率開關元件。它能夠有效地處理高電流和高頻率的開關操作,提供高效率和穩定性的充電過程。
2. **電源模塊**
- 在各種電源模塊中,例如DC-DC轉換器和開關穩壓器,92560E-VB 可以用作主要的功率開關裝置。其低導通電阻和高電流處理能力能夠減少能量損耗,并提高電源轉換效率。
3. **工業電機驅動**
- 在工業自動化設備和電機驅動器中,這款MOSFET可以有效地控制和調節電機的運行。其高可靠性和高電流容量使其成為工業電機驅動系統中的理想選擇。
4. **電池管理系統**
- 92560E-VB 可以用作電池管理系統中的保護開關,幫助實現電池的安全充放電和電流管理。其快速響應和高性能特性有助于提高電池系統的安全性和效率。
通過以上應用領域的例子,可以看出92560E-VB MOSFET 在多種高功率、高頻率和高效率的電力電子應用中具有廣泛的適用性和優異的性能表現。
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