### 900N20NS3-VB MOSFET 產品簡介

900N20NS3-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET，采用 Trench 技術制造，封裝為 DFN8 (5X6)。它具有200V 的漏源電壓 (VDS) 能力，適合于中等電壓應用的電路設計。該器件的柵源電壓 (VGS) 為 ±20V，閾值電壓 (Vth) 約為 3V。在 VGS=10V 時，導通電阻 (RDS(ON)) 為38mΩ，漏極電流 (ID) 最大可達30A。這些特性使得該器件在需要高電流承載能力和低導通電阻的應用中具有優異的性能。

### 900N20NS3-VB 詳細參數說明

- **封裝形式**：DFN8 (5X6)
- **配置**：單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：200V
- **柵源電壓 (VGS)**：±20V
- **閾值電壓 (Vth)**：3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：
 - 38mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：30A
- **技術**：Trench

### 適用領域和模塊舉例

#### 電源管理和開關電路
900N20NS3-VB 可以廣泛應用于電源管理系統和各類開關電路中。例如，它適用于高效率的 DC-DC 變換器、電源開關和逆變器，為電子設備提供穩定和高效的電力轉換。

#### 電動車輛和充電設備
在電動車輛的驅動電路和充電設備中，該器件能夠承受動態負載和高功率需求。它可用于電動汽車的電機驅動控制、電池管理系統和快速充電設施，支持可靠和高效的能量轉換。

#### 工業自動化和電力電子
900N20NS3-VB 在工業自動化系統和各類電力電子設備中也有重要應用。它適用于工業驅動器、機器人控制、以及電力工具的功率開關，確保設備的穩定運行和精確控制。

以上例子展示了 900N20NS3-VB MOSFET 在多種領域和模塊中的應用，說明其在高電壓、高電流環境下的優越性能和廣泛適用性。