### 產品簡介

8NM50N-VB是一款單N溝道功率MOSFET，采用TO251封裝，具有高耐壓特性和穩定的電氣性能，適用于各種中高壓應用場合。

### 詳細參數說明

- **型號**: 8NM50N-VB
- **封裝**: TO251
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓（VDS）**: 650V
- **柵源電壓（VGS）**: ±30V
- **閾值電壓（Vth）**: 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**:
 - 700mΩ @ VGS=10V

- **漏極電流（ID）**: 7A
- **技術**: SJ_Multi-EPI（多重外延埋置溝道技術）

### 應用領域和模塊舉例

8NM50N-VB適用于多種中高壓電路和功率控制應用，包括但不限于：

1. **電源開關**
  - 在開關電源電路中，作為關鍵的功率開關器件，實現高效的電能轉換和穩定的電壓輸出，用于計算機設備、通信設備等。

2. **LED驅動器**
  - 在LED照明系統中，作為LED驅動器的開關元件，控制LED的亮度和電流，提高照明系統的能效和可靠性。

3. **工業控制**
  - 在工業自動化控制系統中，用作電機驅動器和電力開關，支持工廠設備的精確控制和高效運行。

4. **電動工具**
  - 在電動工具的電源管理系統中，作為電池充放電控制器的關鍵部件，支持電動工具的高效能量轉換和長時間使用。

5. **太陽能逆變器**
  - 在太陽能發電系統中，作為逆變器的重要組成部分，實現太陽能電能的高效轉換和穩定的電力輸出。

8NM50N-VB以其高耐壓、低導通電阻和穩定的性能，適用于要求高功率密度和高效能轉換的各種電子設備和系統中。