### 8NM50N-VB MOSFET 產品簡介

8NM50N-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET，采用 Plannar 技術制造，封裝為 TO220。它具有高達500V 的漏源電壓 (VDS) 能力，適合于中等電壓應用的電路設計。該器件的柵源電壓 (VGS) 為 ±30V，閾值電壓 (Vth) 約為 3.1V。在 VGS=10V 時，導通電阻 (RDS(ON)) 為660mΩ，漏極電流 (ID) 最大可達13A。這些特性使得該器件在需要處理中等電壓和較大電流的應用中具有優越的性能。

### 8NM50N-VB 詳細參數說明

- **封裝形式**：TO220
- **配置**：單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：500V
- **柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.1V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：
 - 660mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：13A
- **技術**：Plannar

### 適用領域和模塊舉例

#### 電源供應和開關電路
8NM50N-VB TO220 MOSFET 在電源供應和開關電路中具有廣泛的應用。例如，它可以用于開關電源電路、DC-DC 轉換器和電力適配器，提供高效的電力轉換和穩定的電壓輸出。

#### 照明控制
在 LED 照明和工業照明系統中，該器件可用于驅動電路、照明控制單元和調光系統，支持節能和高效的照明解決方案。

#### 電動工具和汽車電子
8NM50N-VB 適用于電動工具、汽車電子和電動車輛中的功率開關和電動驅動控制。它能夠處理動態負載和高功率需求，保證設備和車輛的穩定性和可靠性。

以上例子展示了該型號 MOSFET 在多種領域和模塊中的應用，說明其在高壓、高功率環境下的優越性能和廣泛適用性。