### 一、8N60-VB 產品簡介

8N60-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET，采用 TO220F 封裝。它具有高達650V的漏源極電壓承受能力，適用于各種要求高電壓和高效能的功率開關和電源管理應用。

### 二、8N60-VB 詳細參數說明

- **封裝類型 (Package)**: TO220F
- **配置 (Configuration)**: 單 N 溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 830mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術 (Technology)**: Plannar

### 三、適用領域和模塊舉例

8N60-VB MOSFET 可以廣泛應用于以下領域和模塊：

1. **電源逆變器**：用作功率開關和電流控制器，支持高效率的電力轉換和穩定的電能輸出，適用于工業和家庭應用的逆變器系統。

2. **電動車充電器**：作為電動車充電樁的關鍵部件，提供高效的充電能力和穩定的電流輸出，支持電動車輛快速充電和長時間使用。

3. **工業自動化**：用作電機驅動器的組成部分，控制電機的啟動、停止和速度調節，提高工業生產線的效率和可靠性。

4. **電力供應模塊**：在各種電力供應模塊中，用于穩定電壓輸出和電流調節，保護設備免受電力波動和干擾的影響。

5. **太陽能逆變器**：在太陽能發電系統中，用作逆變器的關鍵部件，實現太陽能電能的有效轉換和輸出，支持可再生能源的集成和利用。

綜上所述，8N60-VB 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET，特別適用于要求高電壓和穩定性能的功率管理和電能控制應用，為現代電子設備和系統提供可靠的電力管理解決方案。