--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、產品簡介
VBsemi 8N50-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,設計用于高壓應用的功率開關和電源管理。其優秀的導通特性和穩定性使其在各種應用場合下表現出色。
### 二、詳細參數說明
- **型號**: 8N50-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: 30V (±)
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 680mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 12A
- **技術**: Plannar

### 三、適用領域和模塊
1. **電源開關和逆變器**
8N50-VB 可以作為電源開關和逆變器中的關鍵組件,用于交流到直流的轉換或直流到交流的轉換過程中。其高漏源電壓和能夠處理高電流的能力使其適用于各種功率轉換應用。
2. **電動車充電樁**
在電動車充電樁中,8N50-VB 可作為開關元件,用于控制和調節電流,確保充電樁的穩定性和效率。其能夠處理高電壓和電流使其成為充電樁電路設計的理想選擇。
3. **工業高壓設備**
在工業設備中,特別是需要高壓和高效能的設備,如工業電動機驅動、UPS系統和高壓電源單元,8N50-VB 可以提供可靠的電源開關和保護功能,確保設備安全穩定運行。
4. **太陽能逆變器**
在太陽能逆變器中,8N50-VB 可以用作關鍵的功率開關元件,將太陽能板收集的直流電轉換為交流電。其優異的導通特性和高壓能力使其能夠有效地提高逆變器的能效和穩定性。
綜上所述,VBsemi 8N50-VB 是一款適用于高壓功率開關和電源管理應用的單N溝道MOSFET,特別適合電源開關、電動車充電樁、工業高壓設備和太陽能逆變器等領域的應用。
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