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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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8N50G-TA3-T-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 8N50G-TA3-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO220
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、8N50G-TA3-T-VB型號的產品簡介詳細

8N50G-TA3-T-VB是一款單N溝道功率MOSFET,采用Plannar技術制造,封裝為TO220。它具有高達500V的漏極-源極電壓(VDS),適合于要求較高漏極電壓和穩定性能的電子應用。該器件在30V的柵源電壓(VGS)下,具有低達660mΩ的導通電阻(RDS(ON)),能夠提供高效的功率轉換性能。

### 二、8N50G-TA3-T-VB型號的詳細參數說明

- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:500V
- **柵源電壓(VGS)**:30V(±V)
- **閾值電壓(Vth)**:3.1V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - 660mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**:13A
- **技術**:Plannar

### 三、適用領域和模塊舉例

8N50G-TA3-T-VB適用于以下領域和模塊:

在電源系統中,特別是需要處理高電壓和高功率的應用,如電源轉換器和開關電源。
工業控制和自動化設備,用于驅動大功率負載和電機控制。
電動車輛(EV)和混合動力車輛(HEV)的功率管理單元,支持高效能的電能轉換和節能。
太陽能逆變器和電網連接系統,以提供穩定的太陽能發電系統。
總體而言,8N50G-TA3-T-VB通過其高漏極電壓和低導通電阻的組合,適用于需要可靠和高效能能量轉換的廣泛電子和電力應用。

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