### 8N40L-TA3-T-VB MOSFET 產品簡介

8N40L-TA3-T-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET，采用 Plannar 技術制造，封裝為 TO220。該器件具有高達500V 的漏源電壓 (VDS) 能力，適合于中高壓電路設計。它的柵源電壓 (VGS) 為 ±30V，閾值電壓 (Vth) 約為 3.1V。在 VGS=10V 時，導通電阻 (RDS(ON)) 為660mΩ，漏極電流 (ID) 最大可達13A。這些特性使得該器件在需要處理較高電壓和適度電流的應用中表現出色。

### 8N40L-TA3-T-VB 詳細參數說明

- **封裝形式**：TO220
- **配置**：單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：500V
- **柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.1V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：
 - 660mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：13A
- **技術**：Plannar

### 適用領域和模塊舉例

#### 電源逆變器和電源因數校正器
8N40L-TA3-T-VB TO220 MOSFET 在電源逆變器和電源因數校正器中廣泛應用。例如，在太陽能逆變器中，它可以用于將直流電能轉換為交流電能，以供應給家庭或商業用途。

#### 工業電力控制系統
該器件適用于工業電力控制系統中需要處理中等電壓和電流的場合。例如，可以用于電機驅動器和電源管理單元中，確保電力系統穩定運行和能效優化。

#### 汽車電子系統
在汽車電子系統中，8N40L-TA3-T-VB 可以用于直流-直流轉換器、電動汽車充電樁和動力管理系統中，幫助提高能源轉換效率和系統性能。

這些例子顯示了該型號 MOSFET 的多功能性和適應性，適用于多種領域和模塊，從而滿足不同的工程需求和設計要求。