--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT23-6
- 溝道 Dual-N+N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、產品簡介
VBsemi 8205C-VB 是一款雙N+N溝道MOSFET,采用SOT23-6封裝。該器件通過Trench技術設計,具有低導通電阻和適中的電流承載能力,適用于小型電源管理和電路控制應用。
### 二、詳細參數說明
| 參數 | 數值 |
|----------------------|---------------------|
| 封裝類型 | SOT23-6 |
| 配置 | 雙N+N溝道 |
| 漏源電壓 (VDS) | 20V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±12V |
| 閾值電壓 (Vth) | 0.5~1.5V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 28mΩ @ VGS=2.5V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 22mΩ @ VGS=4.5V |
| 連續漏極電流 (ID) | 6A |
| 技術 | Trench |

### 三、應用領域和模塊示例
1. **移動設備電源管理**:
- 8205C-VB 可以用作智能手機、平板電腦和便攜式電子設備中的電源管理開關,支持電池電源和充電控制。
2. **消費電子產品**:
- 在消費電子產品如數碼相機、便攜式音頻設備等的電源管理電路中,該MOSFET可以用于功率開關和電池管理功能。
3. **汽車電子**:
- 在汽車電子系統中,8205C-VB 可以用于車載電子設備的電源控制和管理,如車載充電器、LED照明控制等。
4. **工業控制和自動化**:
- 在工業控制和自動化系統中,該器件適用于小功率電路的開關控制,如傳感器接口電路、小型執行器控制等應用。
通過以上示例,可以看出 VBsemi 8205C-VB 在小型電源管理和電路控制應用中具有廣泛的應用場景,特別是在需要高效能和緊湊封裝的場合下表現出色。
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