### 80N30W-VB MOSFET 產品簡介

80N30W-VB是一款高壓單N溝道MOSFET，采用TO3P封裝，適用于需要高電壓和高電流承載能力的電子設備應用。該器件具有高漏極電壓容忍度、低導通電阻和優異的開關特性，適合于工業和高性能電子設備的電源管理和開關控制。

### 80N30W-VB 詳細參數說明

- **封裝類型 (Package)**: TO3P
- **配置 (Configuration)**: 單N溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**: 600V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 60mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 47A
- **技術 (Technology)**: SJ_Multi-EPI

### 適用領域和模塊應用示例

80N30W-VB MOSFET適用于以下各種領域和模塊中：

1. **電力電子**: 在需要處理高壓和大功率的電力電子設備中，如電源逆變器、高壓直流-直流轉換器等。

2. **工業電源**: 用于工業設備和電源系統中，特別是在需要高電壓和穩定電流輸出的場合，如工業電源模塊和變頻器。

3. **電動工具**: 在高功率和高效能的電動工具中，如電動割草機、電動刨子等，能夠提供穩定的電流和快速的開關響應。

4. **太陽能逆變器**: 在太陽能發電系統中，用于逆變和管理太陽能電能，提高系統的整體效率和可靠性。

5. **電動車充電器**: 作為電動車輛充電設備中的關鍵元件，確保高效的充電速度和電池安全性，尤其是在需要處理高電壓輸出的充電場景中。

80N30W-VB MOSFET由于其高壓容忍度、低導通電阻和高電流承載能力，是各種高功率和高性能電子設備設計中的理想選擇。