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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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80CN10N-VB TO262一款Single-N溝道TO262的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 80CN10N-VB TO262
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO262
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、80CN10N-VB TO262 產品簡介

80CN10N-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用Trench技術制造,封裝形式為TO262。具有100V的耐壓能力和極低的導通電阻,適合于高功率、高效能量轉換和穩定電源控制的應用場合。

### 二、80CN10N-VB TO262 詳細參數說明

- **封裝類型**:TO262
- **配置**:單N溝道
- **耐壓(VDS)**:100V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **門限電壓(Vth)**:2.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:10mΩ @ VGS = 4.5V, 9mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續漏極電流(ID)**:100A
- **技術**:Trench

### 三、80CN10N-VB TO262 應用領域和模塊示例

80CN10N-VB TO262 可以在多個領域和模塊中廣泛應用,以下是幾個典型的示例:

1. **電動車輛**:
  在電動汽車的驅動系統中,80CN10N-VB TO262 可用作電機控制器的主要開關器件。其極低的導通電阻和高電流處理能力可以實現高效能量轉換和優異的動力性能。

2. **工業電源設備**:
  在工業控制系統的電源模塊和變頻器中,80CN10N-VB TO262 可提供穩定的電源管理和高效能量轉換。其高耐壓能力和Trench技術保證了設備的長期可靠性和穩定性。

3. **UPS(不間斷電源系統)**:
  在UPS系統中,80CN10N-VB TO262 可以作為關鍵的功率開關器件,用于保護關鍵設備免受電力波動的影響,并確保系統在斷電時繼續提供穩定的電力輸出。

4. **電力電子**:
  在各種需要高功率和高效能量轉換的電力電子應用中,如電力供應器和逆變器,80CN10N-VB TO262 提供了可靠的功率控制和管理解決方案。其優異的導通特性使其適用于處理大電流和高頻率操作的需求。

80CN10N-VB TO262 作為一款高性能的單N溝道MOSFET,適用于需要高功率處理和穩定性能的各種電子應用場合。

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