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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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80CN10N-VB TO220一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 80CN10N-VB TO220
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO220
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

**80CN10N-VB**是一款單N溝道MOSFET,采用TO220封裝。它采用Trench技術設計,具有高效的導通特性和優良的電壓承受能力,適用于中功率應用場合。

### 詳細參數說明

- **型號**: 80CN10N-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 38mΩ @ VGS = 4.5V
 - 36mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流 (ID)**: 55A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊示例

1. **電機驅動**
  80CN10N-VB適用于電機驅動應用,如工業自動化中的電動機控制和電動工具中的電機驅動。其低導通電阻和高漏源電壓使其能夠在高功率要求下有效地控制電機運行。

2. **電源開關**
  在電源開關系統中,這款MOSFET可以用作高效的功率開關裝置,管理電源的開關和調節,保證系統的穩定性和效率。特別是在電源轉換器和逆變器中,其高電流承受能力和低導通電阻非常適合高效能的功率轉換需求。

3. **電動汽車充電器**
  由于其高電流處理能力和優異的導通特性,80CN10N-VB可以作為電動汽車充電器中的開關元件,幫助管理和控制電動車的快速充電過程,同時保持系統的穩定性和安全性。

4. **LED驅動**
  在LED照明系統中,這款MOSFET可以用于LED驅動電路的開關控制,確保LED燈的亮度和穩定性。其高電壓承受能力和低導通電阻有助于提高LED驅動器的效率和可靠性。

通過以上示例,可以看出80CN10N-VB適用于多種中功率應用場合,為工程師在設計和實施電子系統時提供了可靠的解決方案。

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