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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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7NM64N-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 7NM64N-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 7NM64N-VB TO252 MOSFET 產品簡介

7NM64N-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技術制造,適用于中高壓應用場合。其封裝為 TO252,具備良好的功率密度和散熱性能,適合于需要高效能耗管理的電子設備。這款 MOSFET 在 650V 的漏源電壓 (VDS) 下工作,柵源電壓 (VGS) 為 ±30V,閾值電壓 (Vth) 約為 3.5V。具有較低的導通電阻和適中的漏極電流能力,適合用于需要處理中等電流和中高壓的應用。

### 7NM64N-VB TO252 詳細參數說明

- **封裝形式**:TO252
- **配置**:單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 1000mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:5A
- **技術**:SJ_Multi-EPI

### 適用領域和模塊舉例

#### 電動汽車充電器
7NM64N-VB TO252 可以應用于電動汽車充電器中的功率開關模塊。其650V 的漏源電壓和較低的導通電阻,使其能夠有效地控制電流并提供高效率的能量轉換,確保電動汽車的快速充電和安全運行。

#### 工業電源供應模塊
在工業電源管理系統中,需要能夠穩定輸出高電壓和電流的功率開關器件。7NM64N-VB TO252 的650V 漏源電壓和5A 的漏極電流能力,適合于各種工業電源供應模塊,確保系統的穩定運行和高效能耗管理。

#### 太陽能逆變器
在太陽能發電系統中,逆變器需要能夠穩定地將直流電轉換為交流電。7NM64N-VB TO252 的中高壓特性和優異的性能,使其成為太陽能逆變器中的理想選擇,能夠提供可靠的能量轉換和穩定的電力輸出。

#### 汽車電子系統
在汽車電子控制單元 (ECU) 和電動車輛中,需要能夠處理中等電流和中高壓的功率開關器件。7NM64N-VB TO252 的性能特性使其適合于各種汽車電子系統中的功率管理和電源控制模塊,提升車輛的能效和性能。

7NM64N-VB TO252 是一款適用于中高壓應用的 MOSFET,具備優異的性能和可靠性,適合于各種工業和電子設備的高效能耗管理需求。

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