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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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7N60L-TF1-T-VB一款Single-N溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 7N60L-TF1-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、7N60L-TF1-T-VB 產(chǎn)品簡介

7N60L-TF1-T-VB 是一款由 VBsemi 公司推出的單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝。該 MOSFET 具有高達 650V 的漏源極電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵源極電壓 (VGS),柵極閾值電壓 (Vth) 為 3.5V。其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 830 毫歐姆 (mΩ) 在 VGS = 10V 時,連續(xù)漏極電流 (ID) 為 10A。采用 Plannar 結(jié)構(gòu)技術(shù),具有良好的導(dǎo)通特性和穩(wěn)定性。

### 二、7N60L-TF1-T-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型 (Package)**: TO220F
- **配置 (Configuration)**: 單 N 溝道 (Single N-Channel)
- **漏源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 830mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術(shù) (Technology)**: Plannar

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例

7N60L-TF1-T-VB MOSFET 可以廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **電源供應(yīng)模塊**:適用于各類電源供應(yīng)模塊,包括電源適配器、電動工具的電源管理模塊等,能夠提供穩(wěn)定的功率開關(guān)控制和高效能量轉(zhuǎn)換。

2. **工業(yè)電子**:在工業(yè)控制系統(tǒng)中,特別是需要處理高電壓和中等電流的設(shè)備和系統(tǒng)中,例如工業(yè)自動化設(shè)備、機器人控制系統(tǒng)等。

3. **電動車充電設(shè)備**:作為電動車充電樁中的功率開關(guān)器件,能夠承受高電壓和大電流,確保充電設(shè)備的高效充電和安全性能。

4. **太陽能逆變器**:用于中等功率的太陽能逆變器中,作為 DC 到 AC 轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵部件,能夠提高太陽能系統(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性。

5. **電動工具**:適用于高壓電動工具中的功率開關(guān),如電動鉆、電錘等,為工具提供可靠的功率控制和驅(qū)動能力。

綜上所述,7N60L-TF1-T-VB 是一款功能強大、適用廣泛的 MOSFET,適合于需要高電壓、中等電流處理能力和穩(wěn)定性能的各類電子設(shè)備和系統(tǒng)中的功率開關(guān)應(yīng)用。

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