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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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7N60H-VB TO220F一款Single-N溝道TO220F的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 7N60H-VB TO220F
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO220F
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 7N60H-VB TO220F MOSFET 產品簡介

7N60H-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用平面技術制造,適用于高壓和高功率應用場合。其封裝為 TO220F,具備良好的散熱性能和可靠性。這款 MOSFET 在 650V 的漏源電壓 (VDS) 下工作,柵源電壓 (VGS) 為 ±30V,閾值電壓 (Vth) 約為 3.5V。具有較高的導通電阻和適中的漏極電流能力,適合用于需要處理大電流和高壓的應用。

### 7N60H-VB TO220F 詳細參數說明

- **封裝形式**:TO220F
- **配置**:單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 1100mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:7A
- **技術**:平面 (Plannar)

### 適用領域和模塊舉例

#### 電源逆變器
7N60H-VB TO220F 可以廣泛應用于電源逆變器和交流變直流的轉換器中。其高漏源電壓和適中的導通電阻,使其成為逆變器電路中的理想選擇,能夠穩定高壓和高功率的輸出,提高系統的轉換效率和可靠性。

#### 汽車電子
在電動汽車和混合動力汽車的電動驅動系統中,需要能夠承受高電壓和電流的功率開關器件。7N60H-VB TO220F 的650V 漏源電壓和7A 的漏極電流能力,能夠有效地控制電流并確保系統的穩定性,適用于電動汽車的驅動電機和電池管理系統。

#### 工業控制設備
在工業領域,特別是需要高壓輸出的電源模塊和電機控制系統中,7N60H-VB TO220F 可以提供穩定的高壓輸出,并通過其低導通電阻減少能量損耗,適用于各種工業設備的電源管理和控制。

#### 太陽能逆變器
在太陽能發電系統中,逆變器需要能夠穩定地將直流電轉換為交流電。7N60H-VB TO220F 的高電壓和適中的電流能力,使其成為太陽能逆變器中的理想選擇,能夠提供可靠的能量轉換和穩定的電力輸出。

7N60H-VB TO220F 是一款適用于高壓和高功率應用的 MOSFET,能夠在各種工業和電源管理場合中提供優異的性能和可靠性。

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