--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、產品簡介
VBsemi 7N50L-TF1-T-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專為高壓和高電流應用設計。該器件具有優異的耐壓特性和低導通電阻,適用于需要高效能和可靠性的電源和開關電路。
### 二、詳細參數說明
- **型號**: 7N50L-TF1-T-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: 30V (±)
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 680mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 12A
- **技術**: Planar

### 三、適用領域和模塊
1. **電源開關**
7N50L-TF1-T-VB 適用于各種電源開關應用,包括開關電源和電源管理系統。其高漏源電壓和低導通電阻使其能夠在高壓環境下有效地控制電流和功率,提高電源轉換效率。
2. **工業自動化**
在工業自動化設備中,該MOSFET可用于電機控制和驅動器。它能夠處理工業設備所需的高電壓和大電流,同時保持穩定的性能和可靠性,確保設備的長期運行穩定性。
3. **電動車充電器**
對于電動車充電器,特別是需要處理高電壓和大電流的充電系統,7N50L-TF1-T-VB 可以作為開關元件用于電池充電控制電路。其高性能和耐壓特性確保了充電過程的高效率和安全性。
4. **UPS系統**
在不間斷電源系統(UPS)中,該器件可以用于穩定電源輸出和保護設備免受電網波動的影響。其能夠處理UPS系統所需的高電流和大功率輸出,提供可靠的電力保障。
總結來說,VBsemi 7N50L-TF1-T-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,適用于需要處理高壓和大電流的各種應用領域,包括電源管理、工業自動化、電動車充電器和UPS系統等。
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