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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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7N50G-TA3-T-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 7N50G-TA3-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、7N50G-TA3-T-VB 產(chǎn)品簡介

7N50G-TA3-T-VB 是一款由 VBsemi 公司生產(chǎn)的單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220 封裝。該 MOSFET 具有高達(dá) 500V 的漏源極電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵源極電壓 (VGS),柵極閾值電壓 (Vth) 為 3.1V。其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 660 毫歐姆 (mΩ) 在 VGS = 10V 時(shí),連續(xù)漏極電流 (ID) 可達(dá) 13A。該器件采用 Plannar 結(jié)構(gòu)技術(shù),具有穩(wěn)定的性能和可靠的電氣特性。

### 二、7N50G-TA3-T-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型 (Package)**: TO220
- **配置 (Configuration)**: 單 N 溝道 (Single N-Channel)
- **漏源極電壓 (VDS)**: 500V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.1V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 660mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 13A
- **技術(shù) (Technology)**: Plannar

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例

7N50G-TA3-T-VB MOSFET 由于其高電壓耐受能力和適中的導(dǎo)通電阻,適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **電源開關(guān)**:在工業(yè)和商業(yè)電源開關(guān)應(yīng)用中,特別是需要處理高電壓和中等電流的場合,如 UPS 系統(tǒng)、電源分配單元等。

2. **電動車充電樁**:在電動車充電設(shè)施中,需要處理高電壓的開關(guān)器件,7N50G-TA3-T-VB 可以作為充電樁的主要開關(guān)元件,確保安全和高效的能量轉(zhuǎn)換。

3. **電動工具**:用作電動工具中的功率開關(guān),例如高壓電動錘、電動割草機(jī)等,能夠提供可靠的功率控制和驅(qū)動性能。

4. **工業(yè)自動化設(shè)備**:在工業(yè)自動化系統(tǒng)中,特別是需要長時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行和高電壓控制的設(shè)備,如機(jī)器人控制系統(tǒng)、自動化生產(chǎn)線等。

5. **太陽能逆變器**:雖然功率稍低,但在需要中等功率和高電壓承受能力的太陽能逆變器中也有應(yīng)用,用于提高太陽能發(fā)電系統(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換效率和可靠性。

綜上所述,7N50G-TA3-T-VB 是一款適用于高電壓和中等功率應(yīng)用場合的 MOSFET,能夠?yàn)楦鞣N工業(yè)和電子設(shè)備提供可靠的功率開關(guān)解決方案。

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