### 產品簡介：

MOSFET型號：76609D-VB  
封裝：TO251  
配置：單N溝道  
耐壓（VDS）：100V  
柵極-源極電壓（VGS）：±20V  
閾值電壓（Vth）：1.8V  
導通電阻（RDS(ON)）：110mΩ @ VGS=10V  
漏極電流（ID）：15A  
技術：Trench

### 參數說明：

- **封裝類型（Package）：** TO251，適合中等功率密度的應用，具有較小的封裝尺寸和良好的散熱性能。

- **配置（Configuration）：** 單N溝道，適用于功率開關和電源控制電路設計。

- **耐壓（VDS）：** 100V，適合處理中高壓電路的需求，如電源管理、馬達控制等應用。

- **柵極-源極電壓（VGS）：** ±20V，支持廣泛的柵極驅動電壓范圍，靈活應對不同的控制電路設計。

- **閾值電壓（Vth）：** 1.8V，設定了啟動MOSFET導通的門電壓。

- **導通電阻（RDS(ON)）：** 110mΩ @ VGS=10V，表現出較低的導通電阻，有助于減少功耗和提升效率。

- **漏極電流（ID）：** 15A，適合中等功率應用，能夠處理相對較高的電流負載。

- **技術特性（Technology）：** Trench，采用溝道（Trench）結構，提升了器件的開關速度和可靠性。

### 應用示例：

1. **電源轉換器：** 76609D-VB可用于開關電源、DC-DC轉換器和逆變器中，提供高效的能量轉換和穩定的輸出電壓。

2. **電動工具：** 在電動工具的電機控制電路中，該MOSFET作為開關元件，能夠實現高效的電動工具操作和能量回饋。

3. **電動車輛充電系統：** 在電動汽車和電動車輛充電設備中，76609D-VB可以用于電池管理系統和充電控制電路，確保充電過程穩定和高效。

76609D-VB結合了較低的導通電阻和適中的功率處理能力，適用于需要中等功率密度和可靠性能的各種功率電子應用領域。