### 產品簡介：

MOSFET型號：76137S-VB  
封裝：TO263  
配置：單N溝道  
耐壓（VDS）：30V  
柵極-源極電壓（VGS）：±20V  
閾值電壓（Vth）：1.7V  
導通電阻（RDS(ON)）：2.7mΩ @ VGS=4.5V, 2.4mΩ @ VGS=10V  
漏極電流（ID）：98A  
技術：Trench

### 參數說明：

- **封裝類型（Package）：** TO263，適合中高功率應用，具有良好的散熱性能和機械強度。
 
- **配置（Configuration）：** 單N溝道，適用于高效的功率開關和控制電路設計。

- **耐壓（VDS）：** 30V，能夠處理中低電壓范圍的電路需求。

- **柵極-源極電壓（VGS）：** ±20V，支持廣泛的柵極驅動電壓范圍。

- **閾值電壓（Vth）：** 1.7V，設定了啟動MOSFET導通的門電壓。

- **導通電阻（RDS(ON)）：** 在不同的柵極驅動電壓下，分別為2.7mΩ @ VGS=4.5V 和 2.4mΩ @ VGS=10V，表現出低導通電阻，有助于降低功耗和熱損失。

- **漏極電流（ID）：** 98A，適合需要處理高電流負載的應用場合。

- **技術特性（Technology）：** Trench，采用溝道（Trench）結構，提升了器件的開關速度和可靠性。

### 應用示例：

1. **電源管理系統：** 76137S-VB可用于電源管理單元和電壓調節器中，確保穩定的電壓輸出和高效的能量轉換。

2. **電池管理系統：** 在電動工具、電動汽車和便攜式設備中，這款MOSFET可以用于電池管理系統，支持高效的充放電控制。

3. **服務器和數據中心設備：** 在高性能計算機和服務器的電源模塊中，76137S-VB能夠提供可靠的功率開關和散熱管理，確保設備長時間穩定運行。

76137S-VB結合了低導通電阻和高電流承載能力，適合于需要高功率密度和可靠性的功率電子應用領域。