### 產品簡介：

MOSFET型號：75545S-VB  
封裝：TO263  
配置：單N溝道  
耐壓（VDS）：80V  
柵極-源極電壓（VGS）：±20V  
閾值電壓（Vth）：3V  
導通電阻（RDS(ON)）：10mΩ @ VGS=4.5V, 6mΩ @ VGS=10V  
漏極電流（ID）：120A  
技術：Trench

### 參數說明：

- **封裝類型（Package）：** TO263，適合中功率應用，具有良好的散熱性能和較高的功率處理能力。
- **配置（Configuration）：** 單N溝道，適用于開關和線性控制應用。
- **耐壓（VDS）：** 80V，適合中等電壓應用場合。
- **柵極-源極電壓（VGS）：** ±20V，支持廣泛的驅動電壓范圍。
- **閾值電壓（Vth）：** 3V，適合需求較高的開關電路和功率管理系統。
- **導通電阻（RDS(ON)）：** 
 - 10mΩ @ VGS=4.5V，在低驅動電壓下的導通電阻。
 - 6mΩ @ VGS=10V，在標準驅動電壓下的更低導通電阻，有助于降低功耗和熱損失。
- **漏極電流（ID）：** 120A，能夠處理大電流負載，適用于高功率應用場合。
- **技術特性（Technology）：** Trench，采用溝道（Trench）結構，提升了器件的性能和可靠性。

### 應用示例：

1. **電動車輛：** 75545S-VB可用于電動車輛的電機控制和電池管理系統中，支持高功率的電機驅動和電池充電管理，提升車輛的性能和續航能力。

2. **工業電源系統：** 在工業自動化和電源系統中，這款MOSFET可以用于高效率的開關電源設計，以及工業設備的電流調節和保護。

3. **服務器和通信設備：** 適用于服務器和通信設備中的高頻開關電源，支持高速數據處理和穩定的電源供應。

75545S-VB展示了其在高電流和中等電壓條件下的優異性能，適用于需要高效能和可靠性的各種應用場合。