### 1. 產品簡介

70N2LH5-VB 是一款單通道 N 溝道功率 MOSFET，采用 TO252 封裝。它具有20V的漏極-源極電壓（VDS），適合低電壓應用。該產品采用了 Trench 技術，提供低導通電阻和高性能。

### 2. 參數說明

- **封裝類型：** TO252
- **通道類型：** 單 N 溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 20V
- **柵極-源極電壓（VGS）：** ±20V
- **閾值電壓（Vth）：** 0.5~1.5V
- **導通電阻（RDS(ON))：**
 - 6mΩ @ VGS = 2.5V
 - 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏極電流（ID）：** 100A
- **技術：** Trench

### 3. 應用示例

70N2LH5-VB 在多種領域和模塊中具有廣泛的適用性，以下是一些示例：

- **電動車電池管理：** 在電動車輛的電池管理系統中，需要能夠處理高電流和低電壓的功率 MOSFET，如 70N2LH5-VB，其低導通電阻（特別是在高電壓下的4.5mΩ @ 4.5V）和高漏極電流能力能夠提供高效的電池管理和能量轉換。

- **DC-DC 變換器：** 在直流-直流變換器中，需要能夠快速開關和低損耗的 MOSFET 來實現高效能轉換，70N2LH5-VB 的低導通電阻和快速開關特性使其成為這類應用中的理想選擇。

- **服務器電源模塊：** 在數據中心和服務器的電源管理模塊中，需要高性能和穩定性的功率 MOSFET 用于電源轉換和管理，70N2LH5-VB 的高電流承載能力和低導通電阻能夠確保系統的可靠性和效率。

這些示例展示了 70N2LH5-VB 在處理高電流和低電壓下的優越性能和廣泛適用性，通過其先進的 Trench 技術和優秀的電氣特性，支持了多個領域的電子和電源管理應用需求。