--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 1. 產品簡介:
VBsemi 70N10L-VB TO220 是一款單通道 N 型功率 MOSFET,設計用于高電壓和高電流應用場合。具備100V的漏極-源極電壓(VDS),以及20V的最大柵極-源極電壓(VGS)范圍,采用了Trench溝槽結構技術,優化了導通電阻和開關特性。這款器件適用于需要高效能和高可靠性的功率開關應用。
### 2. 詳細參數說明:
- **包裝類型(Package)**:TO220
- **結構配置(Configuration)**:單 N 型通道
- **漏極-源極電壓(VDS)**:100V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:2.5V(典型)
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 20mΩ @ VGS = 4.5V
- 9mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**:100A
- **技術特性(Technology)**:Trench(溝槽結構技術)

### 3. 應用舉例:
70N10L-VB TO220 在多個領域和模塊中有廣泛應用:
- **電動車充電樁**:在電動車充電樁的電力轉換和控制系統中,需要能夠處理高電壓和大電流的功率開關器件。這款MOSFET的100V漏極電壓和100A漏極電流能力使其成為電動車充電樁中的理想選擇,支持快速充電和高效能轉換。
- **工業電源**:在工業自動化和電力電子設備中,如電源逆變器和UPS系統中,需要能夠快速開關和高效傳導電流的功率器件,以確保設備的穩定運行和能源效率。
- **服務器和數據中心**:在高性能計算和數據存儲系統中,這款MOSFET可以用于電源管理單元和高效能的電源轉換器,幫助提升數據中心的功耗效率和運行穩定性。
這些應用場景展示了該產品在處理高電壓和高電流需求下的優越性能和廣泛適用性,體現了其在電動車充電、工業自動化和數據中心等領域中的重要作用。
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