--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 1. 產品簡介
6R520E6-VB 是一款單通道 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO220F 封裝。它具有650V的漏極-源極電壓(VDS),適用于高壓應用。該產品采用 Plannar 技術,提供可靠的性能和高效的開關特性,適用于多種電力轉換和管理應用。
### 2. 參數說明
- **封裝類型:** TO220F
- **通道類型:** 單 N 溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** 650V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±30V
- **閾值電壓(Vth):** 3.5V
- **導通電阻(RDS(ON)):**
- 320mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID):** 20A
- **技術:** Plannar

### 3. 應用示例
6R520E6-VB 適用于多種領域和模塊,以下是一些示例:
- **電源供應器:** 在電源供應器中,尤其是需要處理高壓和大電流的情況下,6R520E6-VB 的高電壓額定和低導通電阻能夠確保高效的電能轉換和穩定的輸出。其 Plannar 技術使其能夠在高頻率開關中保持低損耗,提升整體效率。
- **太陽能逆變器:** 在太陽能逆變器中,需要高效的電力轉換器件以最大化太陽能電池板的輸出。6R520E6-VB 的高電壓和電流處理能力,以及其出色的開關性能,使其成為這種應用中的理想選擇,能夠有效地管理并轉換電能。
- **工業控制系統:** 在工業自動化和控制系統中,MOSFET 通常用于驅動電機和控制高功率設備。6R520E6-VB 的高電壓額定和堅固的設計能夠滿足工業環境中的高要求,提供可靠的性能和長使用壽命。
這些示例展示了 6R520E6-VB 在多種高壓、高電流應用中的優越性能和廣泛適用性,通過其先進的 Plannar 技術和優良的電氣特性,支持了多個領域的工業和商業應用需求。
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