--- 產品參數 ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 1. 產品簡介:
VBsemi 6R520C6-VB TO252 是一款單通道 N 型功率 MOSFET,適用于中功率和高壓應用。設計上兼具650V的漏極-源極電壓(VDS)和30V的最大柵極-源極電壓(VGS),以滿足工業和消費電子設備中的功率開關需求。其優化的結構設計和多重外延技術(SJ_Multi-EPI)保證了高效能和可靠性。
### 2. 詳細參數說明:
- **包裝類型(Package)**:TO252
- **結構配置(Configuration)**:單 N 型通道
- **漏極-源極電壓(VDS)**:650V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V(典型)
- **導通電阻(RDS(ON))**:500mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**:9A
- **技術特性(Technology)**:SJ_Multi-EPI(多重外延技術)

### 3. 應用舉例:
6R520C6-VB TO252 適用于多種領域和模塊:
- **電源適配器**:在中功率電源適配器中,這款MOSFET可以用作開關管,幫助實現高效率和小型化設計。
- **照明驅動器**:在LED照明系統的驅動器中,需要能夠處理較高電壓和電流的功率開關器件。6R520C6-VB TO252 的650V漏極電壓和9A漏極電流使其成為照明應用中的理想選擇。
- **工業控制系統**:在工業自動化和控制系統中,這款MOSFET可以用于電機驅動和逆變器,支持各種工業應用的高效能電力轉換。
這些例子展示了該產品在中功率和高壓需求下的廣泛應用,體現了其在工業、消費電子和照明等領域的優越性能和適用性。
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