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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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6R520C6-VB TO220一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 6R520C6-VB TO220
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

MOSFET型號(hào):6R520C6-VB  
封裝:TO220  
配置:?jiǎn)蜰溝道  
耐壓(VDS):650V  
柵極-源極電壓(VGS):±30V  
閾值電壓(Vth):3.5V  
導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):500mΩ @ VGS=10V  
漏極電流(ID):9A  
技術(shù):SJ_Multi-EPI

### 參數(shù)說(shuō)明:

- **封裝類型(Package):** TO220,適合一般功率應(yīng)用,易于安裝和散熱。
- **配置(Configuration):** 單N溝道,適用于開(kāi)關(guān)和線性控制應(yīng)用。
- **耐壓(VDS):** 650V,適合要求較高耐壓的電源和驅(qū)動(dòng)電路。
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±30V,支持廣泛的驅(qū)動(dòng)電壓范圍。
- **閾值電壓(Vth):** 3.5V,確保可靠的開(kāi)關(guān)操作。
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 500mΩ @ VGS=10V,適中的導(dǎo)通電阻,適合中功率應(yīng)用。
- **漏極電流(ID):** 9A,能夠處理中等電流負(fù)載。
- **技術(shù)特性(Technology):** SJ_Multi-EPI,采用多重EPI工藝,提升了器件的性能和可靠性。

### 應(yīng)用示例:

1. **開(kāi)關(guān)電源:** 6R520C6-VB可以用于開(kāi)關(guān)電源模塊,支持穩(wěn)定的電源輸出和高效能耗管理,適用于家用電器和工業(yè)設(shè)備。
  
2. **LED驅(qū)動(dòng)器:** 在LED照明領(lǐng)域,這款MOSFET可以作為L(zhǎng)ED驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵組件,控制LED的亮度和穩(wěn)定性。
  
3. **電動(dòng)工具:** 由于其中等的導(dǎo)通電阻和電流處理能力,適合用于電動(dòng)工具的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源管理,確保工具的高效性和持久性。

這些應(yīng)用示例展示了6R520C6-VB在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中的適用性,顯示其在中功率、高穩(wěn)定性要求下的優(yōu)越表現(xiàn)。

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