--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介詳述:
MOSFET型號:6R385P-VB TO220F
封裝:TO220F
構型:單N溝道
耐壓(VDS):650V
柵極-源極電壓(VGS):±30V
閾值電壓(Vth):3.5V
導通電阻(RDS(ON)):320mΩ @ VGS=10V
漏極電流(ID):20A
技術:Plannar

### 詳細參數說明:
- **封裝類型**:TO220F,適合中功率應用,具有良好的散熱性能。
- **構型**:單N溝道設計,優化了導通電阻和開關速度。
- **耐壓**:650V,適用于要求高耐壓的電源和功率轉換器應用。
- **柵極驅動**:支持高達±30V的柵極-源極電壓,提供靈活的控制。
- **閾值電壓**:3.5V,確保適當的開啟和關閉特性。
- **導通電阻**:320mΩ @ VGS=10V,低導通電阻減少功率損耗,適合中等功率的應用需求。
- **漏極電流**:20A,能夠處理較高的電流負載。
### 應用示例:
1. **電源轉換器**:6R385P-VB TO220F MOSFET 可以用于開關電源和直流-直流轉換器,通過有效的能量轉換和控制,提升電源系統的效率和可靠性。
2. **工業驅動器**:在工業控制和驅動系統中,這種MOSFET可以作為開關和電流控制器,支持各種電機和設備的高效操作。
3. **電動車充電器**:適用于電動車充電器中,通過精確的電流和電壓控制,保證充電過程的高效率和安全性。
4. **太陽能逆變器**:在太陽能發電系統中,6R385P-VB TO220F MOSFET 可以用作逆變器的關鍵部件,實現太陽能電能的有效轉換和管理,提高系統的整體性能。
這些示例展示了6R385P-VB TO220F MOSFET在不同領域和模塊中的應用,突顯了其在高功率、高效率電子系統中的多功能性和適用性。
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