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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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6R380E6-VB TO220F一款Single-N溝道TO220F的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 6R380E6-VB TO220F
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO220F
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 1. 產品簡介

6R380E6-VB 是一款單通道 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO220F 封裝。它具有高達650V的漏極-源極電壓(VDS),適合中高壓應用。此產品采用了 Plannar 技術,結合了可靠性和性能。

### 2. 參數說明

- **封裝類型:** TO220F
- **通道類型:** 單 N 溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** 650V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±30V
- **閾值電壓(Vth):** 3.5V
- **導通電阻(RDS(ON)):**
 - 320mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID):** 20A
- **技術:** Plannar

### 3. 應用示例

6R380E6-VB 適用于多種領域和模塊,以下是一些示例:

- **電源供應器:** 在需要中等到高電壓和電流的電源供應器中,6R380E6-VB 的高電壓額定和適中的導通電阻使其能夠提供高效率和穩定性。

- **電動車充電器:** 在電動車充電器中,需要處理高電壓直流和中等電流的 MOSFET 可以使用 6R380E6-VB,其性能和可靠性能夠支持快速充電和長期使用。

- **工業控制系統:** 在工業控制系統中,需要處理各種電力需求的場合,6R380E6-VB 的特性使其成為控制和驅動電路的理想選擇。

這些示例展示了 6R380E6-VB 在處理中等到高電壓和電流的應用時的優越性能和廣泛適用性,通過其 Plannar 技術和優秀的電氣特性,支持了多個領域的工業和商業應用需求。

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