### 產品簡介詳述：
VBsemi MOSFET型號 6R280E6-VB，采用TO247封裝，是單通道N溝道MOSFET。其主要特性包括650V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS，可正負），3.5V的閾值電壓（Vth），以及在VGS=10V時的導通電阻（RDS(ON)）為300mΩ。其最大漏極電流（ID）為15A，采用SJ_Multi-EPI技術。

### 詳細參數說明：
- **封裝類型：** TO247
- **溝道類型：** 單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 650V
- **柵極-源極電壓（VGS）：** ±30V
- **閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）：** 300mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流（ID）：** 15A
- **技術：** SJ_Multi-EPI

### 應用舉例：
1. **電力逆變器：** 6R280E6-VB適用于電力逆變器中的高壓開關電路，能夠在高功率轉換中提供低導通電阻和高效率的性能，確保系統穩定運行和能效優化。

2. **工業電源：** 在工業電源系統中，這款MOSFET可用于各種開關電源單元和逆變器，支持從高壓直流到交流的轉換，滿足工業設備對電力質量和可靠性的苛刻要求。

3. **太陽能逆變器：** 在太陽能發電系統的逆變器中，6R280E6-VB能夠處理大電流和高電壓，通過其高效的導通特性幫助提高太陽能電池板的能量轉換效率。

4. **電動車充電器：** 在電動車充電器中，6R280E6-VB可以用于充電橋接電路，確保高效率和可靠性，同時適應電動車對高功率和頻率的要求。

通過這些應用示例，6R280E6-VB展示了其在高壓、高功率應用中的廣泛適用性和優異性能，為現代能源和電力轉換系統提供關鍵的功率管理解決方案。