### 6R199P-VB MOSFET 產品簡介

6R199P-VB是一款單N溝道功率MOSFET，采用TO263封裝。它具有650V的漏源電壓和20A的漏電流能力，適合于中等電壓和電流處理能力的應用場合。采用了SJ_Multi-EPI技術，具有低導通電阻和優異的熱穩定性，適用于工業和消費電子設備中的功率控制和開關應用。

### 6R199P-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝類型**：TO263
- **極性配置**：單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：650V
- **柵源電壓 (VGS)**：30V (±)
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：160mΩ @ VGS=10V
- **漏電流 (ID)**：20A
- **技術類型**：SJ_Multi-EPI

### 6R199P-VB MOSFET 應用領域與模塊示例

1. **電源供應模塊**：6R199P-VB適用于電源供應模塊中的開關電源控制。其中等電壓和電流處理能力使其能夠有效地控制電源開關和調節，提高設備的能效和穩定性。

2. **工業自動化**：在工業自動化系統中，這款MOSFET可以作為各種電機驅動器和開關器件使用。其良好的導通特性和熱穩定性確保了設備在高負載和惡劣工作環境下的可靠運行。

3. **消費電子產品**：例如電視機和音響設備中的電源管理和開關控制電路中，6R199P-VB的性能可以提升設備的能效，同時減少功耗和熱量產生。

通過以上應用示例，可以看出6R199P-VB MOSFET適用于中等功率要求的多種應用領域，包括電源供應模塊、工業自動化和消費電子產品等，為這些領域的電子設備提供了可靠的功率控制解決方案。