--- 產品參數 ---
- 封裝 TO247
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、6R125C6-VB產品簡介
6R125C6-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用VBsemi公司的超結多重外延(SJ_Multi-EPI)技術。該器件設計用于高電壓和高功率應用,具備低導通電阻和高漏極電流能力,適合要求高效能和高可靠性的電力電子系統。
### 二、6R125C6-VB詳細參數說明
- **封裝形式**:TO247
- **溝道配置**:單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:650V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:75mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:47A
- **技術類型**:超結多重外延 (SJ_Multi-EPI)

### 三、應用領域和模塊示例
1. **電動車輛 (Electric Vehicles)**:在電動車輛的電動機控制系統中,6R125C6-VB 可以用于電動車輛的電池管理系統(BMS)和電機控制單元(MCU)。其高漏極電流能力和低導通電阻特性確保了系統在高功率驅動和快速響應方面的優異表現。
2. **工業高頻電源 (Industrial High-Frequency Power Supplies)**:在工業高頻電源系統中,這款MOSFET能夠處理高頻率開關操作,用于工業電爐、高頻焊接設備和感應加熱系統中的功率開關控制。其低導通電阻和高效能使其成為這些系統的理想選擇。
3. **太陽能逆變器 (Solar Power Inverters)**:6R125C6-VB 可以用于太陽能逆變器中的功率開關和電壓控制單元。其高電壓承受能力和穩定的性能確保了在太陽能系統中的長期可靠運行,提高了能源轉換效率。
4. **電源分布單元 (Power Distribution Units)**:在電力分布單元和電力管理系統中,該MOSFET可以用于電源開關控制和電能調節。其高可靠性和耐用性使其適合于工業、商業和住宅建筑中的電力分配和管理應用。
通過以上應用示例,我們可以看出6R125C6-VB MOSFET在多個領域和模塊中的廣泛應用。其優越的電氣性能和適應性使其成為各種高壓、高功率電力電子系統中的重要組成部分。
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