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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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6N90L-TF1-T-VB一款Single-N溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 6N90L-TF1-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 6N90L-TF1-T-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

6N90L-TF1-T-VB是一款單N溝道功率MOSFET,采用TO220F封裝。它具有高達(dá)900V的漏源電壓和5A的漏電流能力,適合于需要高電壓和中等電流處理能力的應(yīng)用場(chǎng)合。采用了SJ_Multi-EPI技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,適用于高壓電源和工業(yè)控制系統(tǒng)等應(yīng)用。

### 6N90L-TF1-T-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類型**:TO220F
- **極性配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:900V
- **柵源電壓 (VGS)**:30V (±)
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:1500mΩ @ VGS=10V
- **漏電流 (ID)**:5A
- **技術(shù)類型**:SJ_Multi-EPI

### 6N90L-TF1-T-VB MOSFET 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **高壓電源**:由于6N90L-TF1-T-VB具有高達(dá)900V的漏源電壓和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,它非常適合用于工業(yè)電源中的開(kāi)關(guān)電源模塊。例如,可以用于工廠自動(dòng)化系統(tǒng)中的直流電源和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器,保證設(shè)備的高效運(yùn)行和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

2. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:在工業(yè)控制系統(tǒng)中,這款MOSFET可用于高壓開(kāi)關(guān)和電路保護(hù)。其高電壓能力和低導(dǎo)通電阻確保系統(tǒng)在高電壓環(huán)境下的可靠性和安全性,適用于自動(dòng)化控制設(shè)備和高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。

3. **電動(dòng)車充電器**:對(duì)于電動(dòng)車充電器,6N90L-TF1-T-VB的900V漏源電壓可以滿足大容量電池組的快速充電需求,同時(shí)其低導(dǎo)通電阻和高電流能力確保充電效率和安全性。

綜上所述,6N90L-TF1-T-VB MOSFET適用于需要高電壓和中等電流處理能力的各種應(yīng)用領(lǐng)域,包括工業(yè)電源、工業(yè)控制系統(tǒng)和電動(dòng)車充電器等,為這些領(lǐng)域的電力電子設(shè)備提供了穩(wěn)定可靠的性能支持。

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