--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 6N60ZL-VB MOSFET 產品簡介
6N60ZL-VB是一款高效能的單N溝道功率MOSFET,采用TO220F封裝。這款器件具有650V的漏源電壓和7A的漏電流能力,適用于需要高電壓和高電流處理能力的應用。其平面工藝技術和較低的導通電阻(RDS(ON))使其在開關電源、逆變器和電機驅動等應用中表現出色。
### 6N60ZL-VB MOSFET 詳細參數說明
- **封裝類型**:TO220F
- **極性配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:30V (±)
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS=10V
- **漏電流 (ID)**:7A
- **技術類型**:平面工藝

### 6N60ZL-VB MOSFET 應用領域與模塊示例
1. **開關電源**:6N60ZL-VB MOSFET適用于開關電源模塊中的高壓開關元件。其650V的漏源電壓和7A的漏電流能力使其能夠有效地處理高電壓大電流的轉換任務,減少能量損失,提高電源效率。
2. **逆變器**:在逆變器電路中,這款MOSFET可用于高效的電能轉換。其低導通電阻(1100mΩ)和高電流能力確保逆變器在高負載下的穩定運行,特別適合用于太陽能逆變器和不間斷電源(UPS)系統中。
3. **電機驅動**:對于電機驅動應用,6N60ZL-VB的高電壓和高電流特性使其能夠驅動各種類型的電機,包括直流電機和無刷直流電機。其可靠性和耐用性確保電機在不同工況下的平穩運行,適合工業自動化和家電等領域。
通過這些應用示例,可以看出6N60ZL-VB MOSFET在各種高壓、高電流的電力電子設備中發揮著關鍵作用,提升設備性能和能效。
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