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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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6N52K3-VB TO252一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 6N52K3-VB TO252
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、6N52K3-VB產(chǎn)品簡介

6N52K3-VB是一款單N溝道MOSFET,采用TO252封裝和SJ_Multi-EPI技術(shù),適用于需要高電壓承受能力和中等電流控制的應(yīng)用場(chǎng)合。其設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)和特性使其在功率開關(guān)和電源管理領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。

### 二、6N52K3-VB詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù) | 數(shù)值 | 備注 |
| --- | --- | --- |
| **封裝類型** | TO252 | 表面貼裝封裝 |
| **配置** | 單N溝道 | 單個(gè)N溝道MOSFET |
| **VDS (漏源電壓)** | 650V | 最大漏源電壓 |
| **VGS (柵源電壓)** | ±30V | 柵源電壓范圍 |
| **Vth (閾值電壓)** | 3.5V | 柵源開啟電壓 |
| **RDS(ON) @ VGS=10V** | 1000mΩ | 導(dǎo)通電阻 |
| **ID (漏極電流)** | 5A | 最大連續(xù)電流 |
| **技術(shù)** | SJ_Multi-EPI | 多重EPI工藝,優(yōu)化功率轉(zhuǎn)換和導(dǎo)通特性 |

### 三、6N52K3-VB的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

6N52K3-VB適用于多種需要高電壓承受能力和中等電流控制的應(yīng)用場(chǎng)合:

1. **電源逆變器**
  - **應(yīng)用場(chǎng)景**:用于工業(yè)和家用電源逆變器中的功率開關(guān)和電流控制。
  - **示例**:在太陽能逆變器和UPS系統(tǒng)中,6N52K3-VB可以有效地實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電流調(diào)節(jié),保證電源輸出的穩(wěn)定性和效率。

2. **電動(dòng)車充電器**
  - **應(yīng)用場(chǎng)景**:適用于電動(dòng)車充電器中的功率開關(guān)和電流管理。
  - **示例**:在電動(dòng)汽車和電動(dòng)自行車的充電器電路中,6N52K3-VB作為關(guān)鍵組件,能夠確保充電過程的高效性和安全性。

3. **工業(yè)電力控制**
  - **應(yīng)用場(chǎng)景**:用于工業(yè)設(shè)備和電力控制系統(tǒng)中的電流開關(guān)和功率管理。
  - **示例**:在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備和電力分配系統(tǒng)中,6N52K3-VB可以用于控制電動(dòng)機(jī)、電阻加熱器等設(shè)備,實(shí)現(xiàn)精確的功率調(diào)節(jié)和高效能運(yùn)行。

綜上所述,6N52K3-VB是一款適用于高電壓承受和中等電流控制的單N溝道MOSFET。其優(yōu)化的SJ_Multi-EPI技術(shù)和穩(wěn)定的性能使其成為各種功率電子設(shè)備和系統(tǒng)中的理想選擇,能夠提供可靠的功率開關(guān)和電流管理功能。

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