--- 產品參數 ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Half-Bridge-N+N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、產品簡介
**型號:6910M-VB**
6910M-VB 是一款半橋N+N溝道MOSFET,采用SOP8封裝,適用于低壓功率開關和半橋驅動應用。具有30V的漏源電壓和8A的持續漏極電流能力,采用Trench技術工藝,提供了低導通電阻和高效能特性,適合要求高性能和可靠性的電源系統設計。
### 二、詳細參數說明
- **封裝類型**:SOP8
- **溝道類型**:半橋N+N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 12mΩ @ VGS=4.5V
- 8mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:8A
- **技術工藝**:Trench

### 三、應用領域和模塊舉例
**電機驅動器:**
6910M-VB 可以用于電機驅動器的半橋電路中,例如電動工具、電動汽車的電機驅動系統,提供高效能和可靠的電源轉換和驅動性能。
**DC-DC轉換器:**
適用于DC-DC轉換器的電源開關模塊,如電源適配器、電池管理系統和可充電設備,確保高效率和穩定的電源輸出。
**電源管理模塊:**
在各種電源管理模塊中,如服務器電源、工業電源和數據中心電源分配,提供高性能的電源管理和功率轉換能力。
**汽車電子系統:**
用于汽車電子系統中的功率開關和電源管理,如車載充電器、車載娛樂系統和車輛駕駛輔助系統,確保車輛電子系統的穩定性和可靠性。
6910M-VB MOSFET 的半橋設計和優異的電氣特性使其在多種應用場景中廣泛適用,從電動工具到汽車電子系統,均能提供高效能和可靠性的解決方案。
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