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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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65F660-VB TO252一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 65F660-VB TO252
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、65F660-VB產(chǎn)品簡(jiǎn)介

65F660-VB是一款單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,適用于中等至高壓應(yīng)用場(chǎng)合。該器件具有700V的漏源電壓和10A的最大漏極電流,采用SJ_Multi-EPI技術(shù),結(jié)合多重EPI工藝,以提供低導(dǎo)通電阻和高效能特性。

### 二、65F660-VB詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù) | 數(shù)值 | 備注 |
| --- | --- | --- |
| **封裝類(lèi)型** | TO252 | 低輪廓、表面貼裝封裝 |
| **配置** | 單N溝道 | 單通道N溝道MOSFET |
| **VDS (漏源電壓)** | 700V | 適用于中等至高壓電路 |
| **VGS (柵源電壓)** | ±30V | 柵源電壓范圍 |
| **Vth (閾值電壓)** | 3.5V | 柵源開(kāi)啟電壓 |
| **RDS(ON) @ VGS=10V** | 600mΩ | 導(dǎo)通電阻 |
| **ID (漏極電流)** | 10A | 最大連續(xù)電流 |
| **技術(shù)** | SJ_Multi-EPI | 多重EPI工藝,優(yōu)化導(dǎo)通特性和功率效率 |

### 三、65F660-VB的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

65F660-VB適用于需要中等電壓和中等電流的電子設(shè)備和系統(tǒng):

1. **電源轉(zhuǎn)換器**
  - **應(yīng)用場(chǎng)景**:用于開(kāi)關(guān)電源和逆變器中的功率開(kāi)關(guān)和控制。
  - **示例**:在工業(yè)電源、通信基站電源以及電動(dòng)汽車(chē)充電樁中,65F660-VB能夠提供高效能的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電壓輸出,支持設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和長(zhǎng)期可靠性。

2. **電動(dòng)工具**
  - **應(yīng)用場(chǎng)景**:適用于高性能電動(dòng)工具的電機(jī)控制。
  - **示例**:在電動(dòng)工具的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器中,65F660-VB能夠提供快速的功率開(kāi)關(guān)和精確的電流調(diào)節(jié),支持設(shè)備的高效能和長(zhǎng)時(shí)間使用。

3. **工業(yè)自動(dòng)化**
  - **應(yīng)用場(chǎng)景**:用于PLC控制系統(tǒng)、工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備和機(jī)器人控制。
  - **示例**:在工業(yè)機(jī)器人、自動(dòng)化生產(chǎn)線(xiàn)和智能制造系統(tǒng)中,65F660-VB可以提供可靠的功率開(kāi)關(guān)和快速的響應(yīng)時(shí)間,支持高效的生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)和精確的工藝控制。

4. **電源管理**
  - **應(yīng)用場(chǎng)景**:適用于中等功率電源管理和功率分配系統(tǒng)。
  - **示例**:在服務(wù)器電源、數(shù)據(jù)中心電力管理和電力分布系統(tǒng)中,65F660-VB能夠提供穩(wěn)定的電能管理和高效的功率調(diào)節(jié),確保設(shè)備的可靠性和數(shù)據(jù)安全。

綜上所述,65F660-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET,通過(guò)其優(yōu)越的導(dǎo)通特性和高效能設(shè)計(jì),廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電動(dòng)工具、工業(yè)自動(dòng)化和電源管理等領(lǐng)域,為各類(lèi)電子設(shè)備和系統(tǒng)提供穩(wěn)定可靠的功率解決方案。

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