--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**65C660-VB** 是一款單N溝道功率MOSFET,采用TO220F封裝,適用于高壓應用場合。具有700V的擊穿電壓和10A的連續漏極電流能力,利用SJ_Multi-EPI技術實現了低導通電阻和良好的熱特性,適合要求高電壓和穩定性的電子設備和系統。
### 詳細參數說明
- **型號**: 65C660-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **擊穿電壓 (VDS)**: 700V
- **柵極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 390mΩ @ VGS=10V
- **連續漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊舉例
1. **電源逆變器(Power Inverters)**:
- 65C660-VB 可以用于高壓逆變器中,將直流電轉換為交流電,例如在太陽能逆變器和工業UPS系統中,提供可靠的能量轉換和電力穩定性。
2. **電動車充電設備(Electric Vehicle Charging Equipment)**:
- 作為電動車充電樁中的開關元件,支持高電壓和電流的管理,確保電動車輛的高效快速充電。
3. **工業自動化(Industrial Automation)**:
- 在工業控制系統中,65C660-VB 可以用于電源管理和電機控制,提供高效能耗管理和電力控制能力。
4. **電源管理模塊(Power Management Modules)**:
- 在各種電源管理模塊中,特別是需要處理高電壓和高電流的應用場合,如工業電源和電力電子設備中,提供穩定的電力輸出和效能管理。
5. **醫療設備(Medical Equipment)**:
- 在醫療設備中,特別是需要高電壓和高功率的成像系統和電子治療設備中,這款MOSFET能夠提供可靠的電力控制和穩定的性能。
綜上所述,65C660-VB 是一款適用于高壓和高電流要求的單N溝道MOSFET,通過其優異的性能特性和熱管理能力,廣泛應用于電源逆變器、電動車充電設備、工業自動化、電力管理模塊和醫療設備等領域,為各種應用提供高效穩定的解決方案。
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